Samsung está pisando el acelerador en la carrera de la tecnología de chips y tiene planes ambiciosos para competir con sus principales rivales, Intel y TSMC. La filial de semiconductores de Samsung tiene la intención de introducir la tecnología GAA (Gate-All-Around) en su nodo de 1,4 nm en 2027, mientras que en 2025 planea la fabricación a gran escala utilizando su tecnología GAA de 2 nm. Estos movimientos estratégicos la colocan en una posición avanzada en comparación con sus competidores.
Samsung ya ha comenzado la producción de chips GAA en su nodo de 3 nm de primera generación, utilizando la tecnología MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET). Esta tecnología permite fabricar chips con un consumo un 50% inferior al de los circuitos integrados de 5 nm, un rendimiento un 30% más alto y un área un 35% más compacta. La estructura de los transistores GAA MBCFET es diferente a la de los transistores GAA convencionales, lo que aumenta la corriente que fluye a través del transistor y requiere un menor voltaje de operación.
Samsung tiene la intención de incrementar el número de nanoplacas (nanosheets) de tres a cuatro cuando inicie la fabricación de chips en su nodo de 1,4 nm. Esta innovación tiene como objetivo tener los mejores transistores de la industria en 2027. Mientras tanto, la competencia entre Samsung, Intel y TSMC será intensa en los próximos años, lo que probablemente resultará en un desarrollo más rápido de la tecnología, mejores prestaciones de los chips y precios más bajos para los consumidores.
